＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... управления питанием на плате, когда требуется P-канальный
MOSFET в корпусе DPAK.
Технические характеристики / спецификации
- Тип устройства: P-канальный силовой MOSFET
- VDS (max):
Infineon Technologies AG
Ток: 40 A
Напряжение: 40 V
... Краткое описание
BSZ063N04LS6 — это силовой N‑канальный
MOSFET OptiMOS 6 с номиналом 40 В, разработанный для SMPS, зарядных устройств и ORing‑применений. Обеспечивает примерно на 30% меньшее RDS(on) по сравнению с предыдущим ...
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 20 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 18 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 9 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 101 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
Ток: 101 A
Напряжение: 600 V
... предотвращению возникновения сбоев из-за электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких ...
Infineon Technologies AG
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки