Стакан в пластинах

Обзор
Трехмерное упаковочное решение на уровне пластины (WLP) с использованием сквозных контактов в стекле (TGV) обеспечивает миниатюризацию полупроводников и улучшение высокочастотных характеристик за счет металлических соединений.

Особенности

• Возможна анодная пайка (anodic bonding) с кремниевыми пластинами
• Безклеевой процесс устраняет проблему выделения газов (out‑gassing)
• Высокочастотные характеристики, подходящие для RF‑приложений
• Низкая паразитная ёмкость по сравнению с TSV
• Низкая индуктивность
• Низкое электрическое сопротивление за счёт металлических столбиков в via

Подходит для WL‑CSP упаковки MEMS

• Точная допуск на шаг via
• Последовательный шаг ≤ ±20 μm на пластинах φ200 mm
• Последовательный шаг via ≤ ±20 μm
• Доступно для пластин до φ200 mm

Рынки / Применение

• AV / Мобильные устройства: RF‑переключатели и реле для смартфонов, портативных устройств, цифровых камер, автомобильной навигации; датчики давления; гироскопы; акселерометры; датчики изображения
• Автомобильная отрасль: датчики давления; акселерометры; гироскопы
• Полупроводники: RF‑MEMS переключатели; датчики изображения
• Биотехнологии / Медицина: датчики давления для медицинских устройств

Технические характеристики

• Материал: Borofloat 33, SW-YY
• Размер стекла: ≤ φ200 mm
• Мин. толщина: 0,3 mm
• Мин. диаметр via: φ0,15 mm
• Допуск диаметра отверстия: ±0,02 mm
• Макс. аспектное соотношение (глубина:диаметр): 1 : 5
• Материал via: Si, W (вольфрам)
• Герметичность via (He‑тест): 1×10^-9 Pa·m^3/s
• Зазор via–стекло (Стандарт): 0 μm–3,0 μm
• Зазор via–стекло (Опция 1): 0 μm–1,0 μm
• Зазор via–стекло (Опция 2): -3,0 μm–0 μm
• Форма via: Прямая
• Обработка камеры (cavity): Доступна
• Металлизация: Доступна
• Процесс формирования bump: Доступен