Фотодиодная матрица XSJ-10-G5-55-K4

Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 4X14 Гбит/с представляет собой GaAs структуру PIN с верхним освещением. Особенностью является высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ70μm, анод и катод облигации площадку на вершине для TO-CAN пакет проводов-связи, применение в волоконно-оптических каналов передачи данных, 10Gigabit Ethernet и многомодовых связи и т.д. 1. Активная область Φ55μm. 2. Низкая емкость и низкий темновой ток. 3. Высокая ответственность. 4. Скорость передачи данных до 14 Гбит/с. 5. Шаг матрицы: 250 мкм 6. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. приемник 14 Гбит/с AOC (активный оптический кабель) на длине волны 850 нм. 2. Infiniband. 3. SONET/SDH