Чип с фотодиодом XSJ-10-G6-38

Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 25 Гбит/с представляет собой GaAs структуру PIN с верхним освещением. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ38μm, анод и катод на верхней площадке для проволочного соединения пакета TO-CAN, применение в передаче данных по оптоволоконному каналу, 25Gigabit Ethernet и многомодовой связи и т.д. 1. Активная область Φ38μm. 2. Низкая емкость и низкий темновой ток. 3. Высокая ответственность. 4. Скорость передачи данных до 25 Гбит/с. 5. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания, предусмотренные стандартом Telcordia -GR-468-CORE. 6. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. 25Gigabit Ethernet/волоконный канал. 2. приемник 25 Гбит/с AOC (активный оптический кабель) на длине волны 850 нм. 3. параллельные оптические соединения 25 Гбит/с на основе VCSEL. 4. 25 Гбит/с SFP+. 5. 4X25 Гбит/с QSFP.