Фотодиодная матрица XSJ-10-D6A-20-K4-750

Описание Это 4X25Gbps Array 100Gbps фотодиод чип, который является верхней подсветкой и меза структуры высокой скорости передачи данных цифровой PIN фотодиод чип, размер активной области составляет Φ20μm. Его особенности высоки, низкая емкость, низкий темновой ток и отличная надежность, в основном сочетание с высокой производительностью 4X25Gbps четырехканальных трансимпедансных усилителей (TIA), применение в длинноволновых приложений, высокая скорость передачи данных до 4X25Gbps с одномодовым волоконно-оптическим приемником. Характеристики Активная область Φ20μm. Структура связки земля-сигнал-земля (GSG), массив 4X25G. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность. Скорость передачи данных: ≥ 25 Гбит/с/канал. Шаг матрицы: 750 мкм. Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка Применение IEEE 100 Gigabit Ethernet. 100G CWDM4，PSM4，CLR4 каналы связи 100 Гбит/с (4X25 Гбит/с). Одномодовые каналы передачи данных и телекоммуникаций. Волоконно-оптические приемопередатчики, приемники и транспондеры.