Плазменная очистительная установка PSX30 series

для электроникидля процесса

Технология параллельной пластинчатой камеры плазмоочистителя PSX307 обеспечивает превосходную равномерность травления по сравнению с обычными системами периодического действия. Очистка поверхности перед прикреплением проводов или флип-чипов, активация поверхности и улучшение смачиваемости подложки и инкапсуляции пресс-форм. Вариант PSX307A поддерживает как процессы на уровне пластин, так и традиционные процессы на уровне устройств на подложке. Модификация поверхности пластины перед нанесением изоляционного слоя, после нанесения перераспределительного слоя, прикрепления шариков или после нанесения кубиков для улучшения процесса прикрепления матрицы. - Технология параллельных пластин, обеспечивающая однородность - Подложка или 300-миллиметровая пластина, с рамкой или без нее - Запатентованный монитор плазмы (в режиме реального времени) - Прослеживаемость процесса на уровне единицы продукции - Возможность использования аргона, кислорода или смешанного технологического газа Метод очистки - параллельная пластина ВЧ методом обратного напыления Газ для электрического разряда * - Ar [опция : O2] [*1] Размеры подложки (мм) * - L 50 x W 20 - L 250 x W 75 [*2] вкл. опцию типа S L 50 x W 20 - L 330 x W 120, включая опцию типа M Толщина подложки (мм) - от 0,5 до 2,0 Размеры (мм) / Масса * - Ш 930 x Д 1 100 x В 1 450 / 555 кг Ш 1 764 x Д 1 100 x В 1 450 / 850 кг, вкл. опцию типа S Ш 1 764 x Д 1 100 x В 1 450 / 770 кг, вкл. опцию типа M [*3] Источник питания * - 1-фазный переменный ток 200 В, 2,00 кВА [Полная нагрузка 5,00 кВА] [*4] Пневматический источник - 0,49 МПа или более, 6,5 л/мин [A.N.R Метод очистки - метод обратного ВЧ-рассеяния с параллельными пластинами Газ для электрического разряда - Ar [опция: O2, O2 + He]