Лазерный станок для резки

для стекладля полупроводниковой пластины

Подходит для солнечных элементов se и солнечных элементов perc. Источники легирования, предварительно нанесенные на поверхность кремниевой пластины (такие как фосфосиликатное стекло PSG, борное стекло BSG и др Кремниевое стекло (BSG, и т.д.) обрабатывается для удаления примесей на поверхности или неглубокой поверхности пленки Вторичная диффузия в кремниевой пластине формирует PP+ и NN+ переходы высокого-низкого уровня. Основные характеристики 532nm зеленый лазер, стабильный и надежный. Новая фокусировка плоской верхней распределение энергии оптического пути передачи система предназначена для эффективного улучшения оптической стабильности пути и минимизации повреждения кремниевой подложки; Совместимость с существующими производственными линиями, легко модернизировать и высокой надежностью.