Массовый спектрометр SIMS 4550

масс-спектрометрия с вторичной ионизациейдля полупроводниковой промышленностифотоэлектронный умножитель

Квадрупольный ВИМС – профилирование легирующих примесей по глубине и тонкослойный анализ полупроводников CAMECA SIMS 4550 предоставляет расширенные возможности для мелкого профилирования по глубине, измерения минорных элементов и измерения состава тонких слоев в Si, диэлектрике с высокой проницаемостью, SiGe и других составных материалах, таких как III-V для оптических устройств. Обзор продукта - Высокое разрешение по глубине и высокая скорость анализа При постоянно уменьшаемых размерах устройства размеры профилей и толщина слоя имплантированных ионов современных полупроводников часто находятся в диапазоне 1–10 нм. Прибор SIMS 4550 был оптимизирован для решения задач в данных областях, обеспечивая первичный пучок с высокой плотностью кислорода и цезия с энергией удара, программируемой в диапазоне от 5 кВ до менее 150 эВ. Гибкость SIMS 4550 компании CAMECA – прибор динамической ВИМС, обеспечивающий полную гибкость в условиях распыления (угол соударения, энергия, виды). Благодаря специальным настройкам компенсации заряда (электронная пушка, лазер) во время распыления образцов можно легко анализировать электроизолирующие материалы. SIMS 4550 измеряет толщину слоя, выравнивание, резкость, целостность, однородность и стехиометрию. Держатели образцов могут вмещать различные образцы: от небольших фрагментов диаметром в несколько мм² до 100 мм.