Линия для металлизации для солнечных элементов Meco CPL

линия для металлизации для солнечных элементов
линия для металлизации для солнечных элементов
линия для металлизации для солнечных элементов
линия для металлизации для солнечных элементов
линия для металлизации для солнечных элементов
линия для металлизации для солнечных элементов
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
для солнечных элементов

Описание

Meco CPL: Больше мощности из вашей ячейки по более низкой цене! Meco CPL основана на надежной и проверенной концепции Meco EPL, которая с более чем 350 установками, установленными по всему миру, завоевала репутацию в мире полупроводников для нанесения покрытий на выводные рамки. Основные характеристики - Вертикальная обработка продуктов - Низкое сопротивление гальванических химикатов - Компактная конструкция машины/простота в обслуживании - Процесс нанесения покрытия в режиме онлайн/высокое время - Повышение эффективности: 0.3 - 0,5 % (абс.) с посевной тарелкой - Проверенная машинная концепция (> 350 машин в полупроводниковой промышленности) - Идеальная платформа для нанесения покрытия на ячейки Interdigitated Back Contact (IBC), где толстый слой Cu-Sn наносится на задний электрод - Идеальная платформа для нанесения покрытия на HIT-клетки, так как покрытие меди значительно снижает высокие затраты на металлизацию, связанные с гетеропереходными ячейками - Покрытие на фронтальной и тыльной сторонах одновременно для металлизации (покрытия) двуликих клеток, таких как клетки HIT - Покрытие ячеек n-типа - Запуск процесса компанией Meco Подробности Подавляющее большинство Si-ячеек производится трафаретной печатью серебряной пасты на лицевой стороне подложки. Для формирования электрического контакта с ячеистым излучателем после этого выполняется этап обжига. Это хорошо зарекомендовавший себя метод производства в фотоэлектрической промышленности, хотя есть области для его дальнейшего усовершенствования. Обычно контактные пальцы, напечатанные трафаретной печатью, имеют ширину 90-100 микрон для получения достаточной электрической проводимости. Для дальнейшего повышения эффективности ячейки ширина контактного пальца может быть уменьшена по мере увеличения активной области ячейки (меньшее затенение).

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги BE Semiconductor Industries N.V.
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.