Для гальванизации поглощающих (предшествующих) слоев гибкого CIS или CIGS тонкопленочного солнечного элемента компания Meco предлагает оборудование для гальванопокрытия "катушка на катушку" (R2R).
Подробности
Основываясь на нашей технологии непрерывной селективной металлизации на катушках, компания Meco проектирует и производит индивидуальные решения по металлизации на катушках для производства ячеек CIS и CIGS. На субмикронный слой индия на меди наносится покрытие или галлиевая медь и индий могут быть нанесены на подложку с максимально возможной однородностью. Также здесь ключевым является достижение наивысшей эффективности и селективности.
Традиционно осаждение металлических слоев на тонкопленочные солнечные элементы осуществляется с помощью вакуумного осаждения. В отличие от системы Meco, эти системы требуют обширных вакуумных систем и, в зависимости от конфигурации, занимают большое пространство на заводе.
Линия Meco R2R Solar Line разработана для нанесения слоя прекурсора на семенной слой гибких субстратов, таких как сталь, ПЭТ или каптон.
Поскольку в тонкопленочной солнечной промышленности нет стандартных размеров подложки, каждый проект будет разрабатываться с учетом специфических требований заказчика.
Спецификации
- Субстрат: Медь, нержавеющая сталь, ПЭТ, Каптон
- Ширина подложки: от 25 до 1000 мм
- Толщина субстрата: от 23 до 150 мкм
- Опции металла: Ку, Ин и Га
- Равномерность толщины покрытия: < 5%
- Слой семян: Мо/Сю
- Производственная мощность: 15 - 20 МВт
---