Субстрат нитрид алюминия

Обзор
Трехслойная подложка Cu-AlN-Cu, выполняющая функцию радиатора для модулей мощных лазерных диодов (LD). Композитная структура Cu/AlN/Cu обеспечивает высокую теплопроводность при сохранении электрической изоляции. Контроль толщины медного покрытия и слоев позволяет подбирать коэффициент теплового расширения (CTE) в соответствии с LD-микросхемой, что способствует увеличению мощности и срока службы модуля. На критических краевых участках не требуется pullback, что расширяет возможности конструктивного и оптического проектирования.

Ключевые особенности

• Композит Cu + AlN обеспечивает сочетание теплопроводности и электрической изоляции
• Возможна подстройка CTE под LD путем регулировки толщины Cu и AlN
• Контроль толщины позволяет тонко настраивать CTE под конкретные материалы LD
• Подходит для конфигураций LD с несколькими излучателями (multi-emitter)
• Отсутствие необходимости в pullback на критических кромках
• Облегчает установку P-side-down и компактные компоновки
• Возможна вакуумная наплавка припоя AuSn / AuGe
• Острые кромки для точного выравнивания LD
• Радиус кромки < 20 μm

Сравнительные данные (для справки)
Единица / Cu-AlN-Cu / AlN / CuW (10/20)
Свойство материала / − / Изолирующий / Проводящий
Теплопроводность (W/m·K) / 190–250※ / 170 / 180/200
CTE (ppm/°C) / 6–10※ / 4.6 / 6.5/8.3
Электрическое сопротивление (Ω·m) / − / − / 5.3/4.0 (×10-8)
Рабочее напряжение (V) / <200 / <200 / NA
Относительная проницаемость (@1 MHz) / − / 9 / NA
Коэффициент потерь (Tan δ) / − / 5×10-4 / NA
(※Контролируемо проектированием)

Области применения

• Промышленные лазеры: сварка, резка, маркировка, обработка поверхности (отжиг) и т.д.
• Медицинские лазеры: офтальмология, эпиляция, эндоскопические лазерные системы
• Полупроводниковое оборудование: силовые компоненты и лазерные инструменты обработки
• Цифровая техника: лазерные принтеры и МФУ

Технические характеристики

• Тип продукта: Изоляционная трехслойная подложка Cu-AlN-Cu (Cu / AlN / Cu)
• Функция: Радиатор для модулей мощных LD, комбинирующий теплопроводность и электрическую изоляцию
• Теплопроводность: 190–250 W/m·K (Cu-AlN-Cu, контролируется проектированием)
• CTE: 6–10 ppm/°C (контролируется проектированием)
• Электрическое сопротивление: для Cu-AlN-Cu не указано (проводящие значения приведены для CuW)
• Рабочее напряжение: <200 V
• Относительная проницаемость (@1 MHz): 9 (справочно)
• Коэффициент потерь (Tan δ): 5×10-4 (справочно)
• Припой: доступна вакуумная наплавка AuSn / AuGe
• Качество кромки: радиус кромки < 20 μm для точного выравнивания LD
• Примечания по конструкции: контроль толщины Cu для теплового согласования с LD; на критических краевых зонах pullback не требуется; регулируемые толщины Cu и AlN для настройки CTE
• Рекомендуется для: Multi-emitter LD и конфигураций P-side-down