Катушка индуктивности чип LSENC2520KKT4R7M

мощностьSMDмногослойная

Состояние - массовое производство (предпочтительное) Индуктивность - 4,7 мкГн ± 20 % Размер корпуса (EIA/JIS) - 1008/2520 Ток насыщения (макс.) - 1,6 A (⊿L=30%) Ток насыщения (typ) - 1,8 A (⊿L=30%) Ток при повышении температуры (макс.) - 1,5 A (⊿T=40℃) Ток нарастания температуры (typ) - 1,6 A (⊿T=40℃) Сопротивление постоянному току (макс.) - 0,24 Ом Сопротивление постоянному току (typ) - 0.215 Ω Частота измерения LQ - 1 МГц Рабочая температура Диапазон - от -40 до +125 ℃ (Включая самогенерируемое тепло) Температурная характеристика (Изменение индуктивности) - ± 15 % Размер L - 2,5 ± 0,2 мм Размер W - 2,0 ± 0,2 мм Размер T - макс. 1,0 мм Размер e - 0,65 ± 0,3 мм Соответствие требованиям RoHS (10 подп.) - Да Соответствие требованиям REACH (223 подп.) - Да Соответствие стандарту IEC62474 (вер. D24.00) - Да Не содержит галогенов - Да Пайка - Пайка оплавлением Использование металлических магнитных материалов, которые имеют отличную характеристику смещения постоянного тока Низкие потери в сердечнике Низкий Rdc Основные области применения Подходит для борьбы с шумом в цепи питания смартфона, планшетного компьютера, различных коммуникационных устройств и т.д.