Фотоэлектрический модуль из монокристаллического кремния EN_STP410-430S-C54-Nshb

CEISOIEC

Крупноформатные 210 мм кремниевые пластины с эффективностью модуля до 21,6% На основе крупноформатной кремниевой пластины 210 мм и монокристаллической ячейки PERC, площадь приема света увеличивается на 80,5% по сравнению с ячейкой 156 мм, эффективность преобразования значительно улучшается. Технология неразрушающей резки Suntech позволяет избежать повреждения поверхности резки, реализовать оптимальный дизайн полуэлемента, снизить потери тока и риск возникновения горячей точки. Технология MBB + технология упаковки высокой плотности, максимальная мощность пробивает 670 Вт Благодаря технологии многошинной сборки, поперечный путь распространения тока уменьшается на 50%, эффективно снижаются потери сопротивления, реализуется максимальная выходная мощность, тем временем, обеспечивается надежность модуля. Suntech использует технологию высокоплотной упаковки в модуле Ultra X, что позволяет сократить расстояние между ячейками и значительно уменьшить недействительную площадь генерации энергии, а также улучшить плотность энергии модуля. Модернизированная высокоэффективная сварочная полоса, позволяющая во второй раз отразить косой свет, увеличивает выработку энергии на 1,57%.