Реактор для процесса ESY–10/S

трубчатыйкомбинированный

Реактор LPE, разработанный для специальных требований к росту сложных полупроводников II-VI. MCT HgCdTe-эпитаксия для применения в тепловидении. LPE-оборудование для технологий II-VI Концепция LPE-реактора ESY-10/S была разработана компанией SOF Optoelectronics для специальных требований LPE-выращивания сложных полупроводников II-VI, таких как HgCdTe. Высокая производительность 200 см² на эпитаксиальный процесс в сочетании с уникальным материалом корпуса и конструкцией для гомогенизации расплава являются ведущими характеристиками этого оборудования, которое успешно работает по всему миру в различных областях применения В дополнение к стандартной печи ESY-10/S для промышленного и научно-исследовательского использования могут быть реализованы решения, разработанные заказчиком, с большим количеством опций. Печь ESY-10/S может быть прекрасно дополнена встроенной независимой системой печей отжига. Герметичный азотный загрузочный перчаточный ящик позволяет оператору загружать и выгружать трубки печи под защитной атмосферой Печь LPE - технические характеристики Комбинированная печь с одной или двумя трубками с вертикальным LPE и отжигающей кварцевой трубкой 3 зоны нагрева для эпитаксии и 1 независимая зона нагрева для источника ртути Источник паров Hg внутри трубки печи Температура до 750°C Точность регулирования температуры: ± 0,5 °C Подходит для пластин площадью до 49 см² До 6 пластин за один эпитаксиальный процесс Идеальный рост слоев Легкое удаление твердого расплава после процесса Защита поверхности пластины до и после эпи-выращивания Полностью автоматическая обработка с компьютерным управлением Регистрация данных всех параметров процесса Закрытый загрузочный перчаточный ящик с N2-атмосферой Принцип работы установки LPE-оборудования заключается в технологии жидкофазной эпитаксии (LPE) с использованием технологии вращающейся погружной лодки