1. Основанное на принципе темного инфракрасного нагрева, оборудование имеет замкнутый температурный контроль, точную и стабильную температуру и небольшие колебания. Благодаря темному инфракрасному нагреву керамической пластины в нижней части и высокоинфракрасной нагревательной трубе в верхней части, оборудование имеет чрезвычайно долгий срок службы. Он минимизирует боковую разницу температур B G A для предотвращения холодной пайки или повреждения BGA от перегрева.
2. Разработанный с окном наблюдения, позволяющим в реальном времени наблюдать за плавлением шарика припоя чипа BGA, и одновременно паять BGA в разных спецификациях.
3. При открытии нагревательного шкафа во время пайки подается звуковая и световая сигнализация.
4. Когда шкаф открывается после окончания процесса, автоматически работает охлаждающий вентилятор; когда шкаф закрывается, охлаждающий вентилятор также перестает работать.
5. Панель оснащена внешним датчиком K-типа для контроля фактической температуры BGA.
Мощность верхнего нагрева 500 Вт
Мощность нижнего нагрева 400 Вт
Диапазон температур 50℃ - 300℃
Параметры процесса 10
Размер зоны нагрева 130 * 130 мм
Габаритные размеры 355* 225* 180 мм
---