Кремниевая пластина-носитель

Кремниевая пластина-носитель - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd.
Кремниевая пластина-носитель - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd.
Кремниевая пластина-носитель - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - изображение - 2
Кремниевая пластина-носитель - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - изображение - 3
Кремниевая пластина-носитель - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - изображение - 4
Кремниевая пластина-носитель - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - изображение - 5
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению

Описание

Описание продукта
Контроль выхода годных у крупногабаритных тонких слоёв фотовольтаических кремниевых пластин затруднён. Мы много лет занимаемся резкой, развивая процессы с тонкой нитью для повышения выхода и характеристик пластин. Услуга ориентирована на снижение следов от нити и TTV для улучшения внешнего вида и выхода пластин. Предоставляем услуги обработки для форматов 182, 210, прямоугольных пластин и половинных пластин. Оборудование способно резать и обрабатывать более крупные и более тонкие пластины, соответствуя отраслевой тенденции к уменьшению толщины и требованиям заказчиков.

Параметры продукта
N/P Type | Wafer Size | Wafer Thickness/μm | TTV/μm | Saw Mark/μm | Resistivity | MCLT/μs | Oxygen Content/ppma | Carbon Content/ppma
P | 182.2*182.2 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
P | 182*183.75 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
N | 182.2*183.75 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.2*182.2 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.3*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*105 | 110+15/-10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.3-2.1 | ≥1000 | ≤14 | ≤1
N | 182.3*105 | 130±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.6 | ≥4000 | ≤13 | ≤1
Примечание: свойства кремниевых пластин, такие как удельное сопротивление и визуальные параметры, могут быть кастомизированы в соответствии с требованиями заказчика.

Особенности / Технические характеристики
  • Тип продукта: услуги обработки и резки крупногабаритных фотовольтаических кремниевых пластин (wafer).
  • Основная задача: снижение следов от нити и TTV для улучшения внешнего вида и выхода годных у крупных тонких пластин.
  • Поддерживаемые форматы и примеры размеров: 182.2×182.2 мм, 182×183.75 мм, 182.2×183.75 мм, 182.3×210 мм, 210×210 мм, 210×105 мм, 182.3×105 мм, прямоугольные пластины, половинные пластины и другие размеры по заказу.
  • Диапазоны толщин и допуски: примеры 150±10 μm, 130±8 μm, 110+15/-10 μm, 130±10 μm (в зависимости от типа/размера).
  • TTV (Total Thickness Variation): обычно ≤20 μm или ≤25 μm в зависимости от типа N/P и размера.
  • Saw mark (следы пилы/нити): обычно ≤12.5 μm для указанных типов.
  • Диапазоны удельного сопротивления (примеры): 0.3–2.1 Ω·cm, 0.4–1.1 Ω·cm, 0.4–1.6 Ω·cm, 0.6–1.6 Ω·cm (в зависимости от типа/размера).
  • MCLT (время жизни неосновных носителей) примеры: ≥70 μs, ≥1000 μs, ≥4000 μs для конкретных конфигураций.
  • Примеры содержания кислорода: ≤15 ppma, ≤11 ppma, ≤14 ppma, ≤13 ppma (варьируется по типу).
  • Содержание углерода: ≤1 ppma для всех перечисленных типов.
  • Кастомизация: возможна адаптация удельного сопротивления и визуальных параметров под технологические и выходные требования.
  • Возможности сервиса: обработка и резка для форматов 182, 210, прямоугольных и половинных пластин; оборудование поддерживает обработку более крупных и тонких пластин.
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.