Чип с фотодиодом S570

InGaAsInP

Оптический датчик приближения представляет собой InGaAs/InP чип фотодиода с верхней подсветкой, планарная структура, анод спереди, катод сзади, размер квадратной активной области 570um*570um, с высокой ESD, низким темным током и другими характеристиками, имеет высокий отклик в диапазоне длин волн 1300nm~1550nm. Отклик в диапазоне длин волн 300 нм~750 нм очень мал, что решает проблему оптического приема OLED-экрана. 1. Высокая конструкция электростатического разряда. 2. Анод сверху и катод сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. активная площадь 570 мкм x 570 мкм 6. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. Области применения 1. Датчики освещенности. 2. Отключение сенсорного экрана сотового телефона.