- Электричество - Электроника
- Электронный компонент
- Двухполюсный фототранзистор
- OSRAM Opto Semiconductors
Фототранзистор NPN Metal Can TO18из кремния
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Тип
- NPN
- Другие характеристики
- из кремния
- Ток
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Описание
Время падения
tf
8.0 мкс
Время нарастания
tf
8.0 мкс
Спектральный диапазон чувствительности тип.
λ10% мин.
450 нм
λ10% макс.
1100 нм
Область чувствительности к излучению
A
0.11 мм²
Угол луча
∢
110 °
Размер
l
5.35 мм
w
5.35 мм
h
3.3 мм
Рабочая температура
Верхняя мин.
-40 °C
Верхняя макс.
80 °C
Области применения
Промышленность
Автоматизация производства
---
Каталоги
Infrared Components
62 Страницы
SFH 464
14 Страницы
Другие изделия OSRAM Opto Semiconductors
Photodetectors
Расширенный поиск
- Светоидный драйвер
- Чип
- Лазерный диод
- Цифровой преобразователь
- Регулируемый светоидный драйвер
- Лазерный диод видимого диапазона
- Твердотельный лазерный диод
- Датчик изображения CMOS
- Закрытый светоидный драйвер
- Лазерный диод непрерывного действия
- Импульсный лазерный диод
- Лазерный диод CW
- Аналоговый/цифровой преобразователь
- Светоидный драйвер с высокой пропускной способностью
- Многомодовый лазерный диод
- Инфракрасный датчик изображения
- Датчик изображения видимого диапазона
- Светоидный драйвер с широтно-импульсной модуляцией
- Инфракрасный лазерный диод
- Многоканальный преобразователь
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.