Чип мощность LND150

MOSFET

LND150 - это высоковольтный N-канальный транзистор с режимом обеднения (нормального включения), использующий боковую DMOS-технологию. Затвор защищен от электростатического разряда. LND150 идеально подходит для высоковольтных приложений в области нормально включенных переключателей, прецизионных источников постоянного тока, генерации и усиления напряжения. Характеристики изделия Не подвержены вторичному пробою Низкая потребляемая мощность привода Простота распараллеливания Отличная термическая стабильность Встроенный диод исток-сток Высокий входной импеданс и низкий CISS Защита затвора от электростатического разряда Parametrics BVdss min (В) - 500 Rds (on) max (Ом) - 1000 Vgs(off) Min (V (volt)) - -1.0 Vgs(off) Max (V (volt)) - -3.0 Корпус - SOT-23, TO-92, SOT-89