Установка для гравировки полупроводниковых пластин IM-580

- Ионный источник ковшового типа с максимальным Φ 580 мм. - Возможна как высокая равномерность, так и высокая производительность. - Возможен контроль скорости травления на высоких и низких уровнях. - Самовращающаяся ступень для пластин (подложек). - Соответствует подложкам неправильной формы, таким как прямоугольные подложки и смешанные неправильные подложки, также возможно комбинирование размеров подложек. - Тонкая обработка головок принтеров и т. д. - В первый раз мы бесплатно предоставим образец обработки в соответствии с требованиями заказчика. Пожалуйста, свяжитесь с нашей компанией по поводу размера пластин, количества пластин для обработки и т.д. Размер источника ионов - Φ580 Напряжение источника ионов - 300～1000V Плотность тока - ～1mA/cm2 Объектная подложка - φ4 " × 10 9 × 5 φinches 8 × 6 " Движение держателя - поворот/наклон (*) Охлаждение держателя - Водяное охлаждение / Газовое охлаждение Замена пластин - вручную