Спрос на доступ к богатому контенту в любой точке мира стимулирует рост беспроводной передачи информации. Это увеличивает потребность в устройствах радиочастотного питания в беспроводных системах и новых технологиях, таких как GaN и SiC. Это, в свою очередь, вызывает необходимость определения характеристик этих новых технологий на уровне пластин, что значительно сокращает время, необходимое для разработки новых моделей. Эти модели используются в новых конструкциях устройств, которые затем внедряются в беспроводные системы передачи данных (базовые станции, спутники и т.д.) для удовлетворения требований потребителей, жаждущих контента.
Для обеспечения высокоточной характеризации устройств ВЧ мощности на уровне пластины, |Z| Probe® Power, основанный на проверенной технологии |Z| Probe, работает с большой мощностью на высоких частотах (до 40 ГГц). Зонд Power обеспечивает отличную повторяемость контактов и чрезвычайно низкое контактное сопротивление для получения точных результатов при измерениях с притяжением нагрузки, которые типичны для определения характеристик силовых ВЧ-устройств.
Поскольку для обеспечения высокого коэффициента отражения (Γ) вносимые потери должны быть низкими при измерениях нагрузки и шумовых параметров, |Z| Probe Power был разработан для обеспечения чрезвычайно низких вносимых потерь. Это означает, что вы получите более точные измерения, особенно при импедансах не 50 Ом.
---