В процессе производства кристаллов, из-за чистоты материала, технологии производства и других причин, однородность поглощения света кристалла будет затронута, тем самым влияя на эффективность кристалла; После поглощения электромагнитных волн, энергия электромагнитных волн преобразуется в тепловую энергию, что вызывает изменение внутренней температуры материала, так что внутреннее поглощение тепла кристалла является неравномерным, что приводит к большой деформации. Поэтому изучение влияния коэффициента оптического поглощения материала лазерного кристалла на выход лазера и эффективность преобразования частоты имеет важное руководящее и практическое значение.
Мощность лазера до и после прохождения через образец контролируется в реальном времени с использованием принципа разности двойных оптических путей, а образец поворачивается для достижения наилучшей точки тестирования, чтобы получить коэффициент поглощения лазерного кристалла.
- Конструкция двойного оптического тракта позволяет контролировать мощность лазера в реальном времени для обеспечения точности результатов испытаний
- Лазеры с различной длиной волны подбираются в соответствии с характеристиками образца
- Держатель образца может быть настроен в соответствии с измеряемым образцом
- Результаты измерений интуитивно понятны и сохраняются для последующей обработки и анализа
- Простота в эксплуатации и удобство использования
---