МОП-структура из кремния CDMSJ22010-650

CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22010-650 - это высокотоковый 650-вольтовый N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для высоковольтных приложений с быстрым переключением, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC) и зарядные устройства. Этот MOSFET сочетает в себе высоковольтные возможности с низким rDS(ON), низким пороговым напряжением и низким зарядом затвора. МАРКИРОВКА: CDMSJ 10-650 ПРИМЕНЕНИЯ: - Коррекция коэффициента мощности - телевизионное питание - ИБП - Зарядное устройство - Адаптер ОСОБЕННОСТИ: - Высокая вольтамперная способность (VDS=650 В) - Низкий заряд затвора (Qgs=4nC) - Низкий rDS(ON) (0.39Ω)