Испытательная система коэффициент емкости

для полупроводниковMOSFETмодульная

Система тестирования C-V характеристик полупроводниковых силовых приборов Измерения емкость-напряжение (C-V) широко используются для измерения параметров полупроводников, особенно МОП- и МОП-структур. Емкость МОП-структуры (металл-оксид-полупроводник) является функцией приложенного напряжения. Кривая изменения емкости МОП-структуры в зависимости от приложенного напряжения называется кривой C-V (так называемая характеристика C-V). По кривой C-V можно легко определить толщину слоя диоксида кремния dox, концентрацию легирования подложки N, поверхностную плотность подвижного заряда Q1 в оксидном слое, поверхностную плотность неподвижного заряда Qfc и другие параметры. -Широкий диапазон частот: диапазон частот составляет 10Гц~1МГц, а непрерывные частоты точки регулируются; -Высокая точность и широкий диапазон: диапазон смещения от 0В до 3500В, с точностью до 0.1%; -Встроенное тестирование CV: Встроенное программное обеспечение для автоматизированного тестирования CV, включая несколько функций тестирования -такие как C-V (емкость-напряжение), C-T (емкость-время), C-F (емкость-частота) и т.д; -Совместимость с IV тестированием: поддерживает как характеристики пробоя, так и характеристики тока утечки тестирование; -Построение кривых в реальном времени: Программный интерфейс напрямую отображает тестовые данные и кривые для удобного просмотра; -Прочная масштабируемость: Система имеет модульную конструкцию и может быть гибко настроена в соответствии с в соответствии с потребностями;