Источник электропитания для монтажа в стойку EMC

DC/DCс защитой от сверхнагрузокс защитой от сверхтоков

Высоковольтные источники питания Wisman серии EMC - это комплексные многовыходные высоковольтные источники питания для сфокусированных ионных пучков. Типичные области применения включают просвечивающую и сканирующую электронную микроскопию, анализ полупроводников, фрезерование и ремонт головок оптических дисков, ионно-лучевое травление и литографию сфокусированными ионными лучами. Модульный подход к проектированию позволяет легко конфигурировать отдельные компоненты в общей стойке, монтируемой на большом шасси. Интерфейсные, логические и управляющие схемы изготавливаются по технологии поверхностного монтажа, что позволяет минимизировать стоимость и размеры. Встроенный источник ускоряющего питания, источник питания накала, источник питания поглотителя, источник питания подавителя и источник питания линзы. Низкие пульсации на выходе, превосходный коэффициент настройки, стабильность, температурный дрейф и точность. Уникальная технология высоковольтной подвески и цифрового управления компании Wisman. Высокоточные модули серии EMC имеют конкурентоспособную цену и идеально подходят для OEM-приложений. ПРИМЕНЕНИЯ： Полевой эмиссионный сканирующий электронный микроскоп Источник питания электронного пучка Анализ, обработка и ремонт полупроводников Ионно-лучевое травление Литография с фокусированным ионным пучком Технические параметры： Ускоренный источник питания Выходной ток: 100 мкА, 300 мкА Дрожание: 100μA: 75 мВ P-P, от 0,1 Гц до1MHZ 300 мкА: 120 мВ P-P, от 0,1 Гц до1MHZ Коэффициент входной регулировки： Изменение входного сигнала +/-10% для 100 мВ Коэффициент регулировки нагрузки: ± 0,01%, максимальное напряжение, изменение при полной нагрузке Стабильность： 1.5В/10 часов после 2 часов предварительного нагрева Температурный коэффициент: 25 PPM / °C Питание филамента: Колебания: Коэффициент регулировки нагрузки: ± 0,1 %, максимальное напряжение, изменение при полной нагрузке Коэффициент регулировки линии: +/-10% изменение до 5 мА