Кремниевая пластина-носитель с термическим окислением SiO2

6 inch (150 mm)2 inch (50 mm)

СУХОЕ И ВЛАЖНОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН Рост слоя оксида кремния на поверхности кремния (SiO2) может быть осуществлен посредством процессов высокосухого или влажного окисления. В обоих случаях кремний реагирует с кислородом, что приводит к перемещению интерфейса к подложке. Мы поставляем кремниевые пластины с диагональю от 2" до 6": - Сухая тонкая пленка SiO2 от 20 нм до 300 нм - Шероховатость менее 3 баллов RMS при ангстремах - Мокрый термический оксид от 50 нм до 2 мкм Мы вмещаем все количества, с минимальной партией заказанных 25 пластин. Сухое окисление обычно происходит при температурах от 850°C до 1200°C и характеризуется низкими темпами роста. Это обеспечивает очень хорошую равномерность толщины и чистоту. Таким образом, это предпочтительный способ получения высококачественных тонких слоев оксида кремния. Более толстые слои окиси обычно образуются в результате влажного окисления, при котором скорость роста значительно возрастает.