Фотоэлектрический обнаружитель датчик диффузного отражения EP Series

светоотражающий датчиктип загражденияпрямоугольный

Фотоэлектрический датчик серии EP, имеющий сертификат CE, стандартный типоразмер, может заменить международный бренд по приятной цене; Применяется импортный микрочип, быстрое время отклика. Стандартный размер: Универсальный стандартный размер, который заменяет многие китайские и международные бренды; Встроенная металлическая резьба M3 для укрепления датчика; Применяется импортная микросхема, скорость отклика выше; Защита от помех: Оптимизированный алгоритм предотвращения помех, более высокая способность к защите от света и электромагнитных помех; Применяется антиинтерференционная конструкция, можно устанавливать до двух датчиков друг к другу; Оснащен защитой от обратного подключения выхода, что позволяет избежать сбоев при подключении датчика. Возможность регулировки чувствительности: Трехпроводной тип, регулируемая чувствительность, возможность переключения NO/NC; Регулировка оптической оси проста, отклонение между оптической и механической осью контролируется в пределах ±2,5°. Параметры: - Расстояние срабатывания: дальний луч: 2 м, 6 м, 20 м заднее отражение: 3 м 100 мм] Диффузное отражение: 100mm,,600mm,300mm,20-200mm - Объект обнаружения: прямой луч: > φ 12 мм непрозрачный объект Ретро-отражение: >φ75 мм объект Диффузное отражение: непрозрачный объект, полупрозрачный, прозрачный - Время отклика: <1 мс - Угол индицирования: 2~10° - Напряжение питания: DC 12 ~24 В - Потребляемый ток: дальний луч: <35 мА - Ретро-отражение: <10 мА; диффузное отражение: <25 мА - Выходной сигнал : NPN-транзистор: максимальный ток 80 мА; внешнее напряжение 30 В постоянного тока (выход-0 В); остаточное напряжение <2 В (при токе 80 мА), <1 В (при токе 16 мА); - PNP транзистор: максимальный ток 80мА; внешнее напряжение 30В DC (выход-+В); остаточное напряжение <2в (при токе 80мА), <1в (при токе 16мА);