Диод Шоттки RGW00TS65CHR
стандартныйдля коммутациис высокой скоростью

диод Шоттки
диод Шоттки
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Технология
Шоттки
Установка
стандартный
Функция
для коммутации
Электрическая спецификация
с высокой скоростью, постоянный ток, для резки
Технические характеристики
SiC, стандартный
Прямое напряжение

650 V

Описание

Высокоскоростные гибридные автомобильные IGBT со встроенным SiC-барьерным диодом, тип быстрого переключения, 650 В 50 А Серия RGWxx65C - это 650-вольтовые IGBT со встроенным диодом SiC с барьером Шоттки, который снижает потери при включении. Это изделие соответствует стандарту AEC-Q101. Его можно смело использовать даже в жестких условиях эксплуатации, например, в бортовых зарядных устройствах xEV, DC/DC-преобразователях, кондиционерах солнечной энергии и ИБП. Общий стандарт AEC-Q101 (автомобильный класс) Серия W: высокоскоростные быстродействующие SW VCES [В] 650 IC(100°C)[A] 50 VCE(sat) (Typ.) [V] 1.5 tf(Typ.) [ns] 40 Встроенный диод SiC-SBD Pd [Вт] 254 BVCES (мин.)[В] 650 Температура хранения (мин.)[°C] -55 Температура хранения (макс.)[°C] 175 Размер упаковки [мм] 16x21 (t=5,2) Квалифицирован по стандарту AEC-Q101 Низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера Низкие потери при переключении и плавное переключение Встроенный карбид кремния SBD без восстановления Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

---

Каталоги

RGW00TS65CHR
RGW00TS65CHR
15 Страницы

Другие изделия ROHM Semiconductor

Other products

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.