Печь для сублимации baSiC-T

для выращивания кристалловс защитным колпакомгазовая

Система физической транспортировки паров PVA TePla (pvt) baSiC-T была специально разработана для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путем сублимации исходного порошка при высоких температурах. Конструкция системы baSiC-T основана на модульной концепции и позволяет использовать субстраты (семена) диаметром до 6'''. Печь для роста кристаллов SiC PVT нового поколения Предназначен для применения в силовой электронике высокий уровень автоматизации серийного производства Доступно программное обеспечение Fab Management Software Решение малая занимаемая площадь, компактное размещение Доступно для 4'и 6''' Индукционный нагрев с использованием проверенных на практике конструкций змеевиков Низкое энергопотребление (стабильное управление при температуре ок. 10 кВт при температуре 2200 °C) Мобильная концепция погрузки/разгрузки для горячей зоны Превосходная система управления с функцией интуитивное управление на высоком уровне автоматизации визуализация процессов с расширенными возможностями анализа тенденций автономное решение для настройки рецептов блюд с большим количеством вариантов рецептов по наборам параметров долговременная регистрация данных процесса, долговременный поиск данных процесса система управления и визуализация работают независимо друг от друга (концепция безопасности) контуры управления системой, конфигурируемые с помощью наборов параметров Концепция превосходной безопасности соответствие СЕ различный уровень компонентов безопасности системы обеспечивает безопасную эксплуатацию качественные измерения и расширенная документация по качеству Тесное сотрудничество с клиентами, институтами и поставщиками компонентов