Yb:KGW уже широко используется в качестве лазерного активного материала для генерации ультракоротких импульсов в диапазоне нескольких сотен фемтосекунд. Большое сечение поглощения на длине волны около 981 нм делает кристалл хорошо подходящим для диодной накачки. Эффективное поглощение и низкий квантовый дефект позволяют создавать компактные лазеры для мощных приложений.
- Материал : Yb:KGW
- Допуск размеров: +/- 0,1 мм
- Качество поверхности : 10-5 S-D
- Плоскостность поверхности : λ/10 @ 633 нм
- Ошибка параллельности : < 20 арксек
- Покрытия AR/AR : R < 0,5 % при 970-1070 нм
*стандартные спецификации
---