Системы экспонирования OAI Model 2000 могут быть сконфигурированы как система экспонирования с краевой шайбой (2000SM) или система экспонирования с заливом (2000AF); обе конфигурации основаны на проверенной временем платформе OAI.
Обе версии системы экспонирования модели 2000 включают источник ультрафиолетового света, источник питания с регулировкой интенсивности и роботизированную подсистему обработки субстрата. Источники ультрафиолетового света обеспечивают пучки регулируемой интенсивности с полууглами расхождения <2,0%. Источники питания имеют мощность от 200 Вт до 2 000 Вт. Датчики контроллера интенсивности подключены непосредственно к источнику света для точного контроля интенсивности. Роботизированная система перемещения подложек управляется микропроцессором и может быть запрограммирована для работы с подложками самых разных размеров. Возможность теневой маски позволяет пользователю наносить рисунок на верхнюю часть подложки, находясь в непосредственной близости от маски. При расстоянии 25 микрон эти системы способны обеспечить разрешение 6 микрон.
В конфигурации SM система экспонирования краевых бисеринок обеспечивает экономически эффективный метод удаления краевых бисеринок с использованием стандартной технологии теневой маски. Смена маски и подложки может быть выполнена быстро и легко, что повышает универсальность и производительность этого инструмента для крупносерийного производства.
В конфигурации AF система наводного экспонирования модели 2000 используется для дополнения и/или улучшения процессов фотолитографии как на производстве, так и в научно-исследовательской среде. Приложения включают стабилизацию и модификацию фоторезиста, реверсирование изображения и процессы PCM.
---