Печь с камерой TA-200

для плавкидля выращивания кристалловэлектрическая

Наша самая недорогая печь для выращивания лабораторных кристаллов по методу Чохральского - это печь дугового расплава TA-200 с опцией "Выращивание кристаллов". В эту опцию добавлены все компоненты, используемые для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов (кремния, германия и арсенида галлия), металлов, солей и синтетических драгоценных камней. В этой печи используются три электрические дуги, способные плавить материалы при температуре выше 3500°C. Кристаллическая затравка, закрепленная на стержне, опускается в тигель диаметром 2″ (50 мм), в котором находится расплав. Управление запрограммировано на вытягивание растущего кристалла. Скорость вытягивания регулируется с точностью до 0,001 мм/мин. Для вращения затравочного стержня диаметром 3/8" предусмотрен отдельный двигатель, максимальная высота вытягивания составляет 7″ (176 мм). Нижний тигель также поставляется с вращающимся двигателем. Общие характеристики для выращивания кристаллов по методу Чохральского регулируемая скорость вытягивания до 0,001 мм/мин. ход 7″ (178 мм) тигель 2″ (50 мм) регулируемое вращение затравочного стержня Подробности Детали печи для дуговой плавки Полная информация о печи для дуговой плавки приведена в разделе Печь для дуговой плавки TA-200. Ниже описаны только компоненты для выращивания кристаллов. Компоненты устройства для вытягивания кристаллов Серводвигатель и привод для управления скоростью перемещения Шестеренчатый редуктор для обеспечения медленной скорости протяжки от 14 мм в минуту до 0,001 мм в минуту Прецизионный ползун для перемещения посевного стержня вверх и вниз в камере, ход 7" (178 мм) Двигатель постоянного тока, позволяющий вращать посевной стержень со скоростью от 0 до 30 об/мин Вакуумное уплотнение вокруг посевного стержня для изоляции среды камеры Сенсорный экран, обеспечивающий простое программирование и отображение работы кристаллического съемника В корпусе управления размещены все электрические компоненты