Низкий коэффициент шума: 1.4 дБ типичный
Одиночное положительное питание (самосмещенное)
Высокий коэффициент усиления: ≤15,5 дБ типичный
Высокий уровень OIP3: ≤33 дБм типичный
Соответствует требованиям RoHS, 2 мм × 2 мм, 6-выводной LFCSP
HMC8412TCPZ-EP Поддерживает оборонные и аэрокосмические приложения (стандарт AQEC)
Загрузить спецификацию HMC8412TCPZ-EP (pdf)
Военный температурный диапазон (от -55°C до +125°C)
Контролируемый производственный уровень
1 сборочный/испытательный участок
1 производственная площадка
Уведомление об изменении продукта
Квалификационные данные предоставляются по запросу
V62/21602 Номер чертежа DSCC
HMC8412 - это монолитная СВЧ интегральная схема на арсениде галлия (GaAs), псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT), широкополосный усилитель с низким уровнем шума, работающий в диапазоне от 0,4 ГГц до 11 ГГц.
HMC8412 обеспечивает типичный коэффициент усиления 15,5 дБ, типичный коэффициент шума 1,4 дБ и типичный выходной перехват третьего порядка (OIP3) ≤33 дБм, требуя всего 60 мА от напряжения питания стока 5 В. Насыщенная выходная мощность (PSAT) ≤20,5 дБм позволяет малошумящему усилителю (LNA) работать в качестве драйвера локального генератора (LO) для многих сбалансированных, синфазных и квадратурных (I/Q) или отклоняющих смесителей Analog Devices, Inc.
HMC8412 также имеет входы и выходы с внутренним согласованием 50 Ω, что делает устройство идеальным для применения в высокопроизводительных СВЧ-радиоприборах, выполненных по технологии поверхностного монтажа (SMT).
HMC8412 размещен в 6-выводном корпусе LFCSP размером 2 мм × 2 мм, соответствующем требованиям RoHS.
Испытательные приборы
Телекоммуникации
Военная радиолокация и связь Электронная борьба
Аэрокосмическая промышленность
---