1.УФ-лазер, разработанный компанией HiPA, имеет меньший тепловой эффект, меньший кратер, более тонкий лазерный луч и меньшее количество наполнителя. Испаряемая канавка имеет V-образное сечение, что облегчает складывание подложки и позволяет адаптироваться к моделям с меньшим сопротивлением, достигается меньшая ширина линии, верхняя и нижняя контрастные камеры контроля и позиционирования предназначены для повышения точности позиционирования
2.Собственная механическая система с более легким полым U-образным приспособлением, уменьшение качества приспособления и улучшение стабильности на высокой скорости, а также настройка модуля движения XY для обеспечения точности скрайбирования. Специальная конструкция станка минимизирует вибрацию оборудования, вызванную ускорением линейного модуля XY
3.Конструкция камер контроля и позиционирования вверх и вниз для повышения точности позиционирования
4.Инновационный дизайн программного обеспечения управления для оборудования лазерной маркировки, в соответствии с реальными условиями, различные рабочие параметры могут быть установлены, и настроить графику процесса и параметры процесса в соответствии с требованиями производства для достижения функции импорта
5.Независимая разработка механической системы и системы технического зрения для достижения прямолинейности ±0,75 мкм/70 мм и точности позиционирования ±1 мкм
азерный скрайбер применяется для скрайбирования различных типов керамических подложек чип-резисторов, включая инфракрасные и ультрафиолетовые модели. В устройстве используется лазер с настроенными параметрами модели, излучающий чрезвычайно тонкий лазерный луч с достаточной плотностью энергии. Перед попаданием на керамическую подложку луч проходит процесс оптического формирования, затем расширяется, фильтруется и фокусируется. При этом испаряется та часть подложки, на которую попадает луч, образуя на поверхности писчие линии.
---