Чип диодного лазера высокая мощность JDL-BAB-TE series

непрерывной волныс практически непрерывной волнойтвердотельный

Мощные лазерные линейки для оптической накачки и применения прямого диодного лазера (ПДЛ) в обработке материалов, медицине или зондировании Компания Jenoptik стала пионером технологии диодных лазеров высокой мощности и продолжает поставлять ведущие в отрасли мощные диодные лазеры широкой области излучения, излучающие в спектральной области 760 нм - 1060 нм. Мы предлагаем немонтируемые лазерные планки, способные работать в непрерывном (cw), жестко-импульсном (hp)*, длинноимпульсном (lp)** и квази-непрерывном (qcw) режимах с выходной оптической мощностью до 300 Вт (cw)/ 500 Вт (qcw). * жесткий импульс относится к глубокому циклированию от I = 0 до Imax @ например, время включения tON = 1 с и рабочий цикл 50% ** длинный импульс относится к работе при времени включения tON ~ 5...100 мс и рабочем цикле > 1% Услуги по эпитаксии пластин Эпитаксия пластин Эпитаксиальные пластины для оптоэлектронных устройств ближнего инфракрасного диапазона (БИК) по индивидуальным заказам Наши услуги по эпитаксии удовлетворяют потребность в эпи-вафельных структурах на основе подложек GaAs и (Al, In, Ga) (As, P) составных полупроводников. Мы предоставляем заказные эпитаксиальные структуры для различных оптоэлектронных устройств, работающих в спектральном диапазоне 630 нм - 1200 нм, для дальнейшей переработки нашими клиентами на уровне пластин, например, в..: Краевые излучающие лазеры: широкозонные лазерные полосы и одиночные излучатели Лазеры с поверхностным излучением: лазеры с вертикальным (внешним) резонатором (VCSELs, VECSELs) Светоизлучающие диоды (LED): включая суперлюминесцентные диоды (SLEDs) и резонансно-кавитационные светоизлучающие диоды (RCLEDs) Фотоприемники Строгий контроль процесса и качества, отслеживаемость, конфиденциальность и более чем 20-летний опыт выращивания эпи-вафель делают нас надежным партнером литейного производства для изготовления эпи-вафель по индивидуальным заказам.