Фотодиод кремний S series

инфракрасныйУФ

Для УФ и видимого диапазона - прецизионная фотометрия; подавленная чувствительность в ближней ИК области Характеристики - Высокая чувствительность к УФ-излучению: QE＝75 % (λ=200 нм) - Подавленная чувствительность в ближнем ИК-диапазоне - Низкий темновой ток - Высокая надежность Технические характеристики - Фоточувствительная область : 1,1 × 1,1 мм - Количество элементов : 1 - Упаковка : Металл - Категория упаковки : TO-18 - Охлаждение : Без охлаждения - Обратное напряжение (макс.) : 5 В - Диапазон спектральной чувствительности : 320-1000 нм - Длина волны пиковой чувствительности (тип.) : 720 нм - Фоточувствительность (тип.) : 0,36 A/W - Темновой ток (макс.) : 2 пА - Время нарастания (тип.) : 0,15 мкс - Емкость выводов (тип.) : 35 пФ - Эквивалентная мощность шума (тип.) : 1,6×10-15 Вт/Гц1/2 - Условия измерения: Ta=25 ℃, Typ., Фоточувствительность: λ=720 нм, Темновой ток: VR=10 мВ, Емкость клемм: VR=0 В, f=10 кГц, если не указано иное