Фотодиод PIN S14536 series
кремний

фотодиод PIN
фотодиод PIN
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
кремний
Монтаж
PIN

Описание

Si-детекторы для высокоэнергетических частиц Серия S14536 представляет собой фотодиоды большой площади, специально разработанные для прямого обнаружения высокоэнергетических заряженных частиц и рентгеновских лучей. Эти детекторы устанавливаются на плату ПК с отверстием для ΔE/E обнаружения заряженных частиц и рентгеновских лучей. Особенности -Большая площадь -Низкий темный ток -Высокая устойчивость к напряжению S14536-320 Спецификации Фоточувствительная область - 48 × 48 мм Толщина стружки - 320 ± 15 мкм Толщина мертвого слоя (лицевая сторона) - 1,5 мкм Толщина мертвого слоя (задняя сторона) - 20 мкм Макс. напряжение полного истощения - 100 V Максимальный темный ток. - 100 нА Частота вырезания - 3 МГц Ёмкость выводов - 860 пФ S14536-500 Спецификации Фоточувствительная область : 48 × 48 мм Толщина стружки: 500 ± 15 мкм Толщина мертвого слоя (лицевая сторона): 1,5 мкм Толщина мертвого слоя (задняя сторона): 20 мкм Напряжение полного обеднения макс.: 170 В Темный ток макс.: 200 нА Частота вырезания: 5 МГц Соединительная ёмкость: 550 пФ

---

Каталоги

Салоны

Вы сможете встретиться с этим поставщиком на выставке(-ах)

ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 июн. 2024 Frankfurt am Main (Германия) Зал 11.1 - Стенд F62

  • Дополнительная информация

    Другие изделия HAMAMATSU

    Photodiodes

    * Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.