Инфракрасный фотодиод S16008-33
кремний

инфракрасный фотодиод
инфракрасный фотодиод
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
кремний, инфракрасный

Описание

Фотодиод для общей фотометрии в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах S16008-33 представляет собой фотодиод для поверхностного монтажа типа Si с высокой чувствительностью в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. Это обеспечивает более высокую чувствительность по сравнению с предыдущей серией S2387. Особенности -Высокая чувствительность в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне -Низкий темный ток -Превосходная линейность -Совместимость с бессвинцовым припоем Спецификации Фоточувствительная область : 2,4 × 2,4 мм Количество элементов : 1 Пакет: Стеклянная эпоксидная смола Категория пакета : Тип поверхностного монтажа Охлаждение : Неохлаждаемый Диапазон спектральных характеристик: от 380 до 1100 нм Длина волны пиковой чувствительности (тип.) : 960 нм Фоточувствительность (тип.) : 0.64 А/Вт Темный ток (макс.) : 5 pA Время подъёма (набирать): 1,5 мкс Клеммное емкостное сопротивление (тип.): 700 пФ Мощность эквивалентная шуму (тип.) : 9,0 × 10-16 Вт/Гц1/2 Состояние измерения: Та=25 ℃, тип, Фоточувствительность: λ=λp, Темный ток: VR=10 В, время подъема: VR=0 В, RL=1 kΩ, от 10 до 90%, емкость терминала: VR=0 В, f=10 кГц, мощность шумового эквивалента: VR=0 В, λ=λp, если не указано иное

---

Каталоги

Si photodiode 16008-33
Si photodiode 16008-33
4 Страницы

Салоны

Вы сможете встретиться с этим поставщиком на выставке(-ах)

ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 июн. 2024 Frankfurt am Main (Германия) Зал 11.1 - Стенд F62

  • Дополнительная информация

    Другие изделия HAMAMATSU

    Photodiodes

    * Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.