Запоминающее устройство NAND 69FxxG16

асинхронное

Флэш-память NAND высокой плотности DDC 64, 128 и 256 Гб имеет шину шириной x16. Во флэш-памяти NAND используется технология Single-Level Cell (SLC) NAND. Сохраняя 1 бит данных на ячейку памяти, SLC NAND обеспечивает возможность быстрого чтения и записи, а также время загрузки, превосходную выносливость и надежность. Запатентованная DDC технология упаковки RAD-PAK включает в себя радиационную защиту микросхемы. Она устраняет необходимость в экранировании ящиков, обеспечивая при этом необходимую радиационную защиту на протяжении всей жизни на орбите или в космическом полете. RAD-PAK обеспечивает допуск по общей дозе более 100 krads(Si) в зависимости от полета в космос. Данное изделие доступно с экранированием до DDC Microelectronics самоопределяемого класса S. Высокая плотность 64, 128 или 256 Гб Поддержка более высокоскоростных конструкций с меньшей емкостью/меньшим количеством входов/выходов для привода Флеш-интерфейс NAND Технология одноуровневой ячейки (SLC) ONFI 2.2 Соответствует Рабочее напряжение VCC 3.0 - 3.6V VCCQ 1.7-1.95V или 3.0-3.6V Размер страницы 8640 байт (8192 + 448 резервных байт) Поддержка внешних алгоритмов коррекции BCH (16-битная коррекция на 540 байт) Особенности Высоконадежное хранение данных в сложных условиях эксплуатации в космосе Керамический герметичный пакет со встроенным TID-экраном Класс E, I, H или K Скорость До асинхронного режима синхронизации 5 (50МТ/сек) Диапазон температур -55°C до 125°C Выносливость 60,000 циклов, типичных для каждого из них