Тестер для полупроводниковой пластины M2 Wafer Edition

высокого напряжениядля электронной промышленностипрочный

Краткое описание
Высоковольтное решение для тестирования на wafer для SiC и Si устройств. M2 Wafer Edition включает 10 кВ DC‑генератор для раннего скрининга высоковольтных силовых кристаллов на wafer до их деления, что снижает упаковку дефектных изделий и ускоряет анализ выхода продукции.

Обзор
Технология wide‑bandgap SiC обеспечивает новый класс высоковольтных силовых устройств для транспорта, передачи энергии и возобновляемых источников. M2 Wafer Edition выполняет параметрические и стрессовые тесты до 10 кВ на wafer для проверки пробоя, утечек и устойчивости до упаковки. Платформа M2 спроектирована для непрерывной работы 24/7 в производственной среде: прочная, точная и модульная для поддержки массового производства и минимизации простоев. Расширяемая архитектура позволяет добавлять тестовые возможности по мере изменения требований к продукту.

Причины выбора

• Тестирование силовых изделий на максимальных напряжениях. 10 кВ DC‑генератор позволяет испытывать современные wide bandgap архитектуры в их рабочих пределах.
• Раннее обнаружение дефектов. Покрытие тестов DC, UIS и Rg на wafer (вариант Pro) выявляет бракованные кристаллы до деления и упаковки.
• Безопасность и защита. Пробы на wafer и тестовые генераторы защищены от пробоя, вызванного UIS, с помощью технологии SocketSafe™.

Презентация продукта — характеристики (сравнение вариантов)
ФУНКЦИИ / КОНФИГУРАЦИИ: Wafer UHV | Wafer UHV Pro

Количество тестовых мест
Wafer UHV: 1 x DC‑место
Wafer UHV Pro: 1 x комбинированное место DC + Rg + UIS

Параметрический DC‑тест
Обе варианта: 10 кВ, 200 А (встроено)

Оксид затвора и качество
Wafer UHV: —
Wafer UHV Pro: измерение сопротивления затвора и ёмкости

UIS avalanche / качество body‑диода
Wafer UHV: —
Wafer UHV Pro: 5 кВ, 200 А неклампированная индуктивная нагрузка (UIS)

Примечания
Платформа модульна и расширяема; вариант UHV Pro интегрирует комбинированные тесты (DC, RG, UIS) в одном месте для ранней характеристики прочности затвора и body‑диода в производственном процессе.