Тестер высокого напряжения FTI-1000 Wafer HV

переменного токаDCдля электрического оборудования

Обзор продукта FTI‑1000 Wafer HV — это система ATE уровня wafer для тестирования с высокой покрываемостью дискретных силовых приборов и wide‑bandgap‑технологий. Вариант Wafer HV оснащён источниками высокого напряжения DC/AC и предназначен для single‑site probe‑применений с требованиями до 6 kV DC и 5,5 kV AC.

Причины выбрать

• Гибкая конфигурация — модульная архитектура Tester‑per‑Channel Board обеспечивает независимые ресурсы и масштабируемое расширение
• Полный электрический охват — поддерживает DC и AC параметрические тесты для характеристики MOSFET и силовых приборов
• Удобное программное управление — FTI Studio обеспечивает bring‑up probe‑card, разработку тест‑программ и отладку для инженерных и производственных команд

Подробный обзор FTI‑1000 выполняет задачи инженерной характеристики и массовой wafer‑сортировки, используя независимые DC и AC тест‑ресурсы для измерения ключевых параметров MOSFET: DC‑характеристики, ΔVsd, индуктивное переключение (UIL/UIS/CIS), заряд затвора и сопротивление затвора. Модульная USB‑архитектура обеспечивает простое расширение системы и гибкое распределение ресурсов для single‑site и multi‑site probe‑рабочих процессов. Система интегрируется с автоматическими wafer prober и интерфейсами probe‑card без привязки к конкретной механической платформе, поддерживая разработку процессов, раннюю характеристику приборов и массовую wafer‑сортировку.

Функции / конфигурации

• Варианты: Wafer HV (высокое напряжение) и Wafer MV (среднее напряжение)
• Число тест‑сайтов — Wafer HV: 1; Wafer MV: до 16
• DC параметрические тесты — Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss и др.
• Измерения затвора — Rg, Cg, Qg; выбираемые/вставные опции Rg (0, 10, 25, 50 Ω и вставляемое пользователем сопротивление)
• AC‑источники — Wafer HV: 5,5 kV AC; Wafer MV: 1,2 kV AC
• Ток переключения AC — Wafer HV: до 200 A; Wafer MV: до 100 A
• Энергия лавины — >10 J (обе варианта)
• Опции индуктора нагрузки — вставные дискретные индукторы или выбираемый блок индукторов

Технические характеристики

• Модельная серия: FTI‑1000 Wafer
• Основное применение: wafer‑level тестирование для силовых дискретных приборов и wide‑bandgap компонентов
• Архитектура: модульный Tester‑per‑Channel Board, USB‑фреймворк; масштабируемая для single‑site и multi‑site probe‑применений
• ПО: FTI Studio — bring‑up probe‑card, разработка тест‑программ, захват волновых форм, автоматическая генерация data‑sheet, schmoo‑плоты, PAT‑анализ по AEC‑Q001 Rev. C
• DC‑напряжение источника — Wafer HV: 6 kV; Wafer MV: 1,2 kV
• Диапазон приводного тока — Wafer HV: от 10 mA; Wafer MV: от 25 mA
• Пиковый переключающий ток — Wafer HV: до 200 A; Wafer MV: до 100 A
• Цифровой IO: опция 8 независимых цифровых каналов (IC Channel Board)
• Вставные опции: расширения высокого напряжения, высокотоковые импульсные модули, цифроанализаторы, измерение Rg на основе LCR
• Габариты: Система 541 × 345 × 206 мм; блок питания 345 × 176 × 103 мм
• Целевые сектора: автомобильная, промышленная сферы и разработка/производство wide‑bandgap силовых приборов