- Последнее поколение технологии MOSFET.
- Сверхнизкое сопротивление на уровне штата.
- Новый инновационный изолированный привод, обеспечивающий быстрое включение транзистора питания
и, следовательно, отключение переходных процессов с низким энергопотреблением.
- Ультранизкий выходной ток утечки
- Низкое потребление тока управления
- Срабатывание управляющего входа для предотвращения линейных рисков управления
- Низкие токопроводящие и излучаемые помехи
---