- Низкий уровень шума: менее 2,0 кэВ (Si) при 0 пФ
- Возможность получения высокой энергии: до 2 x 106 МэВ в секунду
- Вход FET, защищенный диодом
- Независимые выходы энергии и быстрой синхронизации
- Быстрое время нарастания менее 3 нс при 0 пФ
- Малый размер
- Возможность работы в вакуумной камере
Зарядочувствительный входной предусилитель FET модели 2003BT разработан для оптимальной работы с кремниевыми детекторами, такими как детекторы Mirion Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS) и устаревшие детекторы с кремниевым поверхностным барьером (SSB). Работая как преобразователь заряда в напряжение, устройство принимает носители заряда, образующиеся в детекторе во время каждого поглощенного ядерного события. На выходе получается напряжение, прямо пропорциональное собранному заряду, со скоростью 0,45 В на пК. Это соответствует коэффициенту усиления 20 мВ на МэВ для кремниевых детекторов комнатной температуры
Для типичного использования с положительно смещенными кремниевыми детекторами чрезвычайно линейный выход энергии обеспечивает импульс положительной полярности, идеальный для энергетической спектроскопии. Совпадающий по времени выход обеспечивает быстрый дифференцированный импульс отрицательной полярности, идеальный для разрешения ядерных событий во времени
О высокой скорости заряда конструкции свидетельствует мощность энергии более 2 x 106 МэВ в секунду при использовании с кремниевыми детекторами. Для того чтобы в полной мере использовать преимущества такой высокой скорости счета, необходимо использовать основной усилитель с соответствующей высокой скоростью счета, например, усилитель модели 2025 или модели 2026
Принцип работы предварительного усилителя показан на функциональной схеме.
---