＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 25 mA
Напряжение: 13 V
... ОСОБЕННОСТИ - Встроенный изолированный источник питания DC-DC; Единая мощность топология привода питания - Высокое напряжение изоляции 3750 В переменного тока - Частота входного сигнала до 20 кГц - Встроенная схема неисправностей с выводом ...
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
Напряжение: 4 500, 5 200 V
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими приборами. Хотя ...
Напряжение: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Эти приборы, созданные по запатентованной технологии тонкой подложки XPT™ и по современному IGBT-технологическому процессу, обладают такими качествами, как пониженное тепловое сопротивление, низкий хвостовой ток, низкие потери энергии ...
Ток: 600 A
Напряжение: 1 200 V
... IGBT-модули Littelfuse обеспечивают высокую эффективность и высокую скорость переключения современной IGBT-технологии в надежном и гибком формате. Используемые в приложениях управления питанием, Littelfuse предлагает расширенный ассортимент ...
... Компания Toshiba предлагает широкий спектр биполярных транзисторов, пригодных для различных применений, включая радиочастотные (РЧ) и устройства питания. ...
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную ...
Infineon Technologies AG
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...
Ток: 5 A
Напряжение: 500 V
... Гнезда для силовых транзисторов 5.шаг 45 мм / 0,215 дюйма Высокая температура Низкое газовыделение Высоконадежный круглый контакт, обеспечивающий хорошие электрические и механические характеристики. Гнезда для тестирования силовых транзисторов ...
Ток: 5 A
... Гнезда для силовых транзисторов Для TO-247 (4pin) Высокая температура. ℃ Низкое газовыделение Эти тестовые гнезда для силовых транзисторов имеют корпус TO-247(4pin) и могут использоваться в высокотемпературных средах. А его высоконадежные круглые ...
Ток: 5 A
... Гнезда для тестирования силовых транзисторов, индивидуальный шаг Сильный ток Шаг Стандартный тип／ Тип сквозного отверстия Низкое газовыделение Если вы хотите оценить устройство, которое не поддерживается стандартными спецификациями, ...
Напряжение: 110, 265 V
... Описание: TOPSwitch-HX включает в себя МОП-транзистор 700 В, источник тока высокого напряжения, ШИМ-управление, генератор, цепь теплового отключения, защиту от неисправностей и другие схемы управления на монолитном устройстве. Низкая ...
Power Integrations
Ток: 5, 20, 30, 50 A
Напряжение: 600 V
... Дискретные IGBT-транзисторы Bourns® серии BID сочетают в себе технологии МОП-затвора и биполярного транзистора, создавая оптимальный компонент для высоковольтных и сильноточных приложений. В данном устройстве используется передовая технология ...
... Avago имеет обширный портфель кремниевых биполярных РФ транзисторов и GaAs FET Радиочастотные транзисторы GaAs FET идеально подходят для первого или второго каскада базовой станции LNA благодаря превосходному сочетанию низкого коэффициента ...
Ток: 2 A
Напряжение: 36 V
... С помощью этого МОП-транзистора можно управлять напряжением до 36 Вольт. С помощью широтно-импульсной модуляции можно понизить среднеквадратичное напряжение (например, для регулировки яркости светодиодной лампы). СОВМЕСТИМ С Arduino, ...
Ток: 1 mA - 20 mA
Напряжение: 2,7 V
Broadcom
Ток: 20 A
Напряжение: 650 V
... GNP1070TC-Z - 650-вольтовый GaN HEMT, достигший наивысшего в отрасли класса FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss). Это продукт серии EcoGaN™, который способствует повышению эффективности преобразования мощности и уменьшению размеров за счет оптимального ...
ROHM Semiconductor
... Автомобильные фотопары (транзисторный выход, выход ИС) выпускаются в малогабаритных корпусах с высокой диэлектрической прочностью (3,75 кВ) и высокотемпературным режимом работы до 135 °C. Это облегчает заказчику проектирование, включая ...
Напряжение: 7,5 V
... AFM906N предназначен для применения в портативных двухсторонних радиостанциях с частотами от 136 до 941 МГц. Высокий коэффициент усиления, прочность и широкополосные характеристики этого устройства делают его идеальным для применения ...
Ток: -0,5 A
Напряжение: -50 V
... 50A02CH - биполярный транзистор с низким VCE(sat), PNP Single, предназначенный для применения в низкочастотных усилителях общего назначения. Приложения Низкочастотный усилитель Высокоскоростное переключение Привод малогабаритного двигателя Схема ...
Fairchild Semiconductor
Ток: 0,4 A - 45 A
Напряжение: 36 V - 70 V
... ST предлагает широкий ассортимент автомобильных интеллектуальных 3- и 5-полюсных низкочастотных переключателей (OMNIFET) на базе технологии VIPower (вертикальная интеллектуальная мощность). Эта запатентованная технология позволяет интегрировать ...
STMicroelectronics
Напряжение: -400 V - 1 000 V
... Компания Vishay является мировым лидером в производстве маломощных МОП-транзисторов. Линейка силовых МОП-транзисторов Vishay Siliconix включает устройства в более чем 30 типов корпусов, в том числе линейки микросхем MICRO FOOT® и высокотехнологичные ...
Напряжение: 45 V
... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...
Central Semiconductor
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
SEMIKRON
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
Ток: 25 mA
Напряжение: 20 V
... Напряжение коллектор-эмиттер - Vceo 20 В Постоянный ток коллектора - Ic - 25 мА Полярность - pol - NPN Рассеиваемая мощность - Ptot - 0,200 Вт Температура спая - Tjmax - 150 °C Коэффициент усиления по постоянному току - hfe - 85 - VcE ...
Diotec
Ток: 10 A - 1 600 A
Напряжение: 600 V - 1 700 V
... Greegoo предлагает модули IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором) различных топологий, номиналов тока и напряжения. Модули IGBT от 15А до 1600А при классах напряжения от 600В до 1700В используются в различных приложениях ...
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось